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摘要:
针对轨道交通用高压绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)的应用特点,从芯片和模块两方面对轨道交通用IGBT的技术特点进行了分析.随着IGBT芯片及模块的设计与工艺技术发展,未来轨道交通用IGBT将朝更高功率密度、更高工作温度、更智能及更可靠的方向发展.
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文献信息
篇名 轨道交通用高压IGBT技术特点及其发展趋势
来源期刊 机车电传动 学科 交通运输
关键词 绝缘栅双极晶体管 芯片 模块 技术特点 技术发展 轨道交通
年,卷(期) 2014,(1) 所属期刊栏目 专稿
研究方向 页码范围 1-6
页数 6页 分类号 TN32|U264.3+7
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 丁荣军 南车株洲电力机车研究所有限公司 15 197 6.0 14.0
2 刘国友 南车株洲电力机车研究所有限公司 2 19 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
绝缘栅双极晶体管
芯片
模块
技术特点
技术发展
轨道交通
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
机车电传动
双月刊
1000-128X
43-1125/U
大16开
湖南省株洲市时代路169号 南车株洲电力机车研究所有限公司 《机车电传动》编辑部
42-17
1960
chi
出版文献量(篇)
3531
总下载数(次)
15
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