缺血性脑损伤与瞬时受体电位M通道的研究进展

• 作者: 史翠霞 尹纪娟 张珂 曹伟 陈蕾
• 来源期刊: 中国医药科学
• 学科: 医学
• 关键词: 脑缺血 钙超载 瞬时受体电位M通道
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: R743.3
• 字数: 3776字
• 语种: 中文

摘要

缺血性脑血管病是临床常见病、多发病，其发病机制复杂。钙超载在缺血性脑损伤中起重要作用。瞬时受体电位M通道（transient receptor potential melastatin，TRPM）是位于细胞膜上的一类重要的非选择性阳离子通道超家族，对钙离子有较高的通透性，在缺血性脑损伤中起重要作用，对TRPM通道的研究将成为治疗缺血性脑损伤新的靶点。本文就胞内钙离子超载在缺血性脑损伤中的作用、TRPM通道及其参与的缺血性脑损伤的机制予以综述。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈蕾	南京医科大学生理学系	51	228	8.0	12.0
2	尹纪娟	山东省临沂市人民医院北城新区医院国际医疗部	2	17	1.0	2.0
3	曹伟	山东省费县人民医院妇产科	3	7	1.0	2.0
4	史翠霞	山东省费县人民医院妇产科	2	6	1.0	2.0