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高温形核层对蓝宝石衬底AlN薄膜质量的影响
高温形核层对蓝宝石衬底AlN薄膜质量的影响
作者:
冯志红
刘波
吕元杰
尹甲运
敦少博
蔡树军
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
AlN外延层
高温形核层
位错
蓝宝石衬底
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
摘要:
采用两步生长模式的金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜,通过高分辨X射线衍射和原子力显微镜分析方法,研究发现蓝宝石衬底上外延生长的AlN薄膜晶体质量与高温AlN形核层的形核密度及晶粒大小密切相关,而形核密度决定于高温AlN形核层的初始铝体积流量,晶粒的大小取决于其厚度.优化了高温AlN形核层的初始铝体积流量和厚度等工艺参数.当高温AlN形核层的初始铝体积流量为30 cm3/min、生长时间为9 min时,高温AlN形核层的形核密度和晶粒大小最优,外延生长的AlN薄膜位错密度最低,表面最平整,晶体质量最好.
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InAlN薄膜
GaN
近晶格匹配
影响蓝宝石高温强度的因素探讨
蓝宝石
高温强度
影响因素
内容分析
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篇名
高温形核层对蓝宝石衬底AlN薄膜质量的影响
来源期刊
微纳电子技术
学科
工学
关键词
AlN外延层
高温形核层
位错
蓝宝石衬底
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
年,卷(期)
2014,(7)
所属期刊栏目
材料与结构
研究方向
页码范围
434-437
页数
分类号
TN304.23|TN304.055
字数
语种
中文
DOI
10.13250/j.cnki.wndz.2014.07.005
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
蔡树军
18
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冯志红
38
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3
刘波
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4.0
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尹甲运
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32
4.0
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研究主题发展历程
节点文献
AlN外延层
高温形核层
位错
蓝宝石衬底
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄市179信箱46分箱
邮发代号:
18-60
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
22
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