一种具有0.5 dB噪声系数的450～470 MHz单片集成LNA

• 作者: 张海英 戴志伟 曾健平 杨浩 郑新年
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: 低噪声放大器 阻容负反馈 单片集成 低频段 pHEMT
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 机电工程
• 页码范围: 91-94
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 语种: 中文

摘要

基于0.5 μm赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计制造了一款工作于450～470 MHz频段的单片集成低噪声放大器(LNA),该LNA采用阻容负反馈的方式实现输入阻抗匹配,减小了无源元件占有的芯片面积,达到了单片集成的目的,同时降低了使用成本.测试结果表明,该单片集成LNA具有40 dB左右的增益和约0.5 dB的噪声系数,其低噪声性能十分优秀,这得益于pHEMT管不引入高损耗的片上电感所带来的好处及其本身优异的低噪声特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾健平	湖南大学物理与微电子科学学院	90	672	12.0	22.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	杨浩	中国科学院微电子研究所	112	4085	31.0	63.0
4	戴志伟	湖南大学物理与微电子科学学院	2	2	1.0	1.0
5	郑新年	中国科学院微电子研究所	4	7	2.0	2.0