GaN-蓝宝石异质厚膜体系界面应力特性研究

• 作者: 刘辉召 史俊杰 吴洁君 李佳 齐浩然
• 来源期刊: 力学研究
• 学科: 教育
• 关键词: GaN膜 蓝宝石 应力 界面
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 55-64
• 页数: 10页
• 分类号: G6

摘要

考虑两条假设:a) 去除Stoney模型中膜厚远小于基底厚度的近似条件,考虑GaN膜的厚度和基底蓝宝石的厚度相当。b) 把GaN的膜厚考虑成非均匀的,随面内径向坐标r变化。在此两条假设基础上研究了GaN-蓝宝石异质厚膜体系的曲率和界面剪切应力,其中将GaN的膜厚取为坐标r的正弦函数,且研究了从系统中心到边缘膜厚的薄–厚–薄和厚–薄的两种变化模式,计算结果表明系统的曲率不再是常量而是随坐标r变化的变量,界面剪切应力在整个半径R范围内出现方向的转变,转变点正好对应曲率取极值的点,可见曲率对界面剪切应力有重要影响,根本原因来源于我们考虑了GaN膜厚的非均匀性。