铬掺杂对氧化铝陶瓷真空电绝缘性能的影响

• 作者: 丘泰 刘湘龙 李晓云 杨建
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铝陶瓷 表面闪络 掺杂 氧化铬
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 857-861
• 页数: 5页
• 分类号: TM85|TQ175.74
• 字数: 2730字
• 语种: 中文

摘要

陶瓷绝缘子沿面闪络现象是制约电真空器件使用的重要原因.以95％的Al2O3陶瓷为基料,掺杂0～1.5wt％ Cr2O3,制备铬掺杂的氧化铝陶瓷绝缘子,研究了铬的掺杂含量对该绝缘材料烧结性能和真空绝缘性能的影响.结果表明:Cr3+掺杂显著降低了95％氧化铝陶瓷的气孔率,促进了陶瓷的烧结,并降低了陶瓷的烧结温度,使铬掺杂氧化铝陶瓷的晶粒更加细小均匀.掺杂量为0.5wt％的Cr2O3真空沿面闪络电压最高,达到65 kV/cm,主要原因是铬的掺杂降低了样品的气孔率和二次电子发射系数,过量掺杂造成了更多的晶体结构缺陷,反而降低了陶瓷绝缘子的真空耐电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丘泰	南京工业大学材料科学与工程学院	283	2308	22.0	31.0
2	李晓云	南京工业大学材料科学与工程学院	69	515	12.0	19.0
3	杨建	南京工业大学材料科学与工程学院	70	425	10.0	15.0
4	刘湘龙	南京工业大学材料科学与工程学院	1	10	1.0	1.0