基于电迁移法的铝微米带弯曲生长现象研究

• 作者: 王海燕 鹿业波
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 电迁移 铝微米带 薄膜 弯曲生长
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 50-52
• 分类号: TB383
• 语种: 中文

摘要

基于电迁移法制备了弯曲形状的铝微米带,可作为连接件直接应用于微机电系统和光电器件中.试验所需试样是一层沉积在TiN层的铝膜,并在铝膜的阳极端制作原子排出孔.试验结果表明,铝微米带的生长驱动力来自于铝原子积聚产生的压应力,排出孔的位置靠近铝膜边缘,使铝原子在排出孔两侧的析出速率出现差异,导致铝微米带出现自发弯曲生长现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海燕	嘉兴学院机电工程学院	17	71	6.0	7.0
2	鹿业波	嘉兴学院机电工程学院	17	20	2.0	4.0