电动汽车直流变换器中高压MOSFET的振荡分析与改善

• 作者: 周晶晶 庞方杰 汤天浩
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电动汽车 DC-DC变换器 ZVS移相全桥 车用MOSFET 快恢复体二极管
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 84-90
• 页数: 7页
• 分类号: TM464
• 字数: 3620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2850.2014.1.84

摘要

电动汽车需要高功率密度、高效率、高可靠性的高压到低压DC-DC变换器来给车内的低压电子负载提供电源.ZVS移相全桥拓扑利用电路寄生元件实现器件零电压开关,具有开关损耗低、工作频率高、功率器件开关应力小、变换器可靠性高等优点.当出现导通延迟现象时,普通功率MOSFET在移相全桥变换器中由于体二极管反向恢复特性差不能及时清除内部载流子,会导致器件在开关过程中出错,进而影响系统的可靠性.英飞凌新型过AEC-Q101认证高压功率COOLMOS CFDA带有极快速的体二极管,并具有极低的导通电阻.实验表明在移相全桥变换中使用CFDA能够减小潜在体二极管反向恢复问题,提高系统效率以及可靠性,尤其适用于车用HV-LV的DC-DC变换器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤天浩	上海海事大学物流工程学院电气自动化系	99	615	14.0	18.0
2	周晶晶	上海海事大学物流工程学院电气自动化系	6	29	3.0	5.0
6	庞方杰		1	2	1.0	1.0