基于Ir (ppy)3载流子直接复合发光的OLED机理研究

• 作者: 刘慧慧 景姝 杜晓刚 王华 苗艳勤
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ir(ppy)3 载流子直接复合发光 空穴转移 OLED
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 481-485
• 页数: 5页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 3137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143504.0481

摘要

针对载流子在面式-三(2-苯基吡啶基-N,C2')铱(Ⅲ)(Ir (ppy)3)上的聚集会对器件性能产生不良影响,在发光层中分别掺入4％的双(2-(4,6-二氟苯基)吡啶基-N,C2')铱(Ⅲ)(吡啶-2-羧基)配合物(FIrpic)和4％的4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA),器件的性能有明显的提高,最高电流效率分别达到51 cd/A和43.1 cd/A,提高约79％和50％,我们将器件效率的提高归因于TCTA和FIrpic可以使聚集在Ir(ppy)3界面的空穴向主体材料4,4'-二(咔唑-9-基)联苯(CBP)转移,进而可减弱对激子的猝灭作用.