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摘要:
利用第一性原理方法计算Mn离子掺杂纯净TiO2(001)和F原子吸附的TiO2 (001)薄膜的形成能、态密度和磁矩.F原子吸附明显降低TiO2∶Mn薄膜体系的形成能.F原子的吸附导致Mn离子的磁矩减小,而表面O原子的磁矩增大.表面O原子的磁矩主要来源于O原子px和py轨道的自旋极化,研究表明表面吸附F原子更有利于Mn离子的掺杂,在一定程度上有利于获得结构稳定的铁磁态半金属特性的TiO2∶Mn薄膜.
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文献信息
篇名 F原子吸附TiO2∶Mn(OO1)稀磁半导体薄膜电子结构和磁性的第一性原理计算
来源期刊 计算物理 学科 物理学
关键词 第一性原理计算 稀磁半导体 TiO2(001) 自旋极化 态密度
年,卷(期) 2014,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 96-102
页数 7页 分类号 O469
字数 3607字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李丹 北京交通大学物理系 32 130 5.0 10.0
2 梁春军 北京交通大学物理系 28 199 6.0 13.0
3 牛原 北京交通大学物理系 8 35 3.0 5.0
4 赵红敏 北京交通大学物理系 11 58 5.0 7.0
5 李祥然 北京交通大学物理系 1 5 1.0 1.0
6 王春雷 北京交通大学物理系 1 5 1.0 1.0
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第一性原理计算
稀磁半导体
TiO2(001)
自旋极化
态密度
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1001-246X
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大16开
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2-477
1984
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