SiO2奈米绝缘层对GaAs/Ge异质结构特性之影响

• 作者: 吴家任 方劲智 陈隆建
• 来源期刊: 纳米技术
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅镀 SiO2奈米绝缘层 砷化镓 锗
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 53-59
• 页数: 7页
• 分类号: TN3

摘要

本论文主要探讨SiO2奈米绝缘层对GaAs/Ge异质结构光电特性的影响之研究。本实验主要探讨分为三部分,其一是探讨以射频磁控溅镀技术所成长之砷化镓薄膜磊晶质量及特性分析;其二为透过薄膜分析GaAs/Ge和GaAs/SiO2/Ge两种异质结构,讨论SiO2厚度变化对组件结构的影响;其三则是探讨GaAs/SiO2/Ge异质结构的光电特性。在GaAs/SiO2/Ge的异质结构中,除了大约在53?的GaAs绕射峰之外,大约在52?则有另一个强度很强的绕射峰出现,该绕射峰应为氧化镓(Ga2O3),晶向为(024),推测应属SiO2的氧(O2)及GaAs的镓(Ga)所反应之生成物。当沉积时间增加时,GaAs的绕射峰强度减弱,Ga2O3的绕射峰强度增强,可能是SiO2引进氧形成Ga2O3,而造成砷的自生点缺陷(native point defect)增加所导致。在照光的情形下,在GaAs的膜层中之砷的自生点缺陷会捕捉光生电子,造成光电流减少,进而影响GaAs/SiO2/Ge异质结构的光特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴家任	国立台北科技大学光电工程系	1	0	0.0	0.0
2	方劲智	国立台北科技大学光电工程系	1	0	0.0	0.0
3	陈隆建	国立台北科技大学光电工程系	2	0	0.0	0.0