钛掺杂对ZnO∶Ti透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 侯金 兰椿 孙奉娄 杨春勇 汪浩 钟志有 顾锦华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 ZnO∶Ti 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 845-851
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 4398字
• 语种: 中文

摘要

以不同钛掺杂含量的氧化锌陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射工艺在玻璃基片上沉积了Ti掺ZnO(TZO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、分光光度计和霍尔效应测试系统,研究了钛掺杂含量对TZO薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明:所有TZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,钛掺杂含量对薄膜性能具有明显的影响.当钛掺杂含量为3wt％时,TZO薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低、品质因数最大(748.15 S/cm),具有最佳的光电综合性能.TZO薄膜的光学带隙随钛掺杂含量增加而单调增大.