忆阻电路降维建模与特性分析

• 作者: 乔晓华 包伯成 武花干 王春丽
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 忆阻电路 建模 降维 动力学
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 020504-1-020504-9
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.020504

摘要

通过对蔡氏忆阻电路的数学建模分析，提出了忆阻电路动力学建模的降维问题。以包含两个磁控忆阻器的忆阻电路为例，进行了忆阻电路降维建模，由此建立了一个三维系统模型。基于该模型，分析了忆阻电路的平衡点和稳定性，研究了电路参数变化时忆阻电路的动力学特性。进一步，对包含两个磁控忆阻器的忆阻电路常规模型的分析结果和其降维模型的分析结果进行了比较。结果表明：忆阻电路降维模型的维数只与电容器的数量和电感器的数量有关，而与忆阻器的数量无关；当电路参数变化时忆阻电路存在分岔模式共存等非线性现象；降维建模降低了系统建模复杂度，有利于系统的动力学特性分析，但消除了忆阻器内部状态变量的初始条件对忆阻电路动力学特性的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	包伯成	常州大学信息科学与工程学院	49	509	13.0	20.0
2	武花干	南京理工大学电子工程系	10	98	6.0	9.0
3	乔晓华	江苏理工学院电气信息工程学院	11	30	4.0	4.0
4	王春丽	常州大学信息科学与工程学院	3	36	3.0	3.0