PVA栅绝缘层浓度对P3HT有机场效应晶体管性能的影响

• 作者: 吴峰 樊剑锋 白潇 程晓曼 蒋晶 郑灵程
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机场效应晶体管 栅绝缘层 浓度 PVA P3HT
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 470-475
• 页数: 6页
• 分类号: TN386|O47
• 字数: 1074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143504.0470

摘要

采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响.实验结果显示,以质量分数为8％的PVA溶液制备的栅绝缘层具有最好的性能,器件的场效应迁移率为0.31 cm2·V-1·s-1,阈值电压为-6V.进一步分析了PVA栅绝缘层浓度对器件性能提高的原因,结果表明,对于制备溶液化的有机场效应晶体管,选取合适的PVA栅绝缘层浓度非常重要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑灵程	天津理工大学理学院	3	5	2.0	2.0
2	蒋晶	天津理工大学理学院	3	5	2.0	2.0
3	吴峰	天津理工大学理学院	7	7	2.0	2.0
4	程晓曼	天津理工大学理学院	20	106	6.0	9.0
8	白潇	天津理工大学理学院	2	2	1.0	1.0
9	樊剑锋	天津理工大学理学院	2	2	1.0	1.0