CIGS双梯度带隙吸收层的制备及特性

• 作者: 丁铁柱 刘文德 康振锋 李强 肖玲玲 范悦 薄青瑞 郑平平 齐彬彬
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积 CuIn(1-x)GaxSe2 XPS逐层刻蚀 双梯度带隙
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3372字
• 语种: 中文

摘要

采用脉冲激光沉积（PLD）方法，在钠钙玻璃上沉积不同 Ga 含量的CuIn (1-x)GaxSe2薄膜，研究不同Ga含量对CIGS薄膜结构及光学特性的影响。研究表明：随着 Ga含量增加， CIGS薄膜的光学带隙增大。优选特性较好的CIGS沉积在同一个钠钙玻璃衬底上，使 Ga/( In+Ga )比在薄膜内纵深方向呈先减小后增加的变化。采用 XPS逐层刻蚀分析薄膜的元素组成，利用带隙近似公式得到能带随深度变化情况，最终得到结构、光学特性和电学特性较好的双梯度带隙结构薄膜。