分数维方法研究Alx Ga1-x As衬底上GaAs薄膜中极化子特性随Al浓度的变化

• 作者: 严亮星 田强
• 来源期刊: 北京师范大学学报（自然科学版）
• 关键词: 极化子 GaAs薄膜 分数维
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 字数: 2556字
• 语种: 中文

摘要

用分数维方法研究Alx Ga1-x As衬底上GaAs薄膜中的极化子,得到了衬底中Al摩尔分数x对GaAs薄膜中极化子的结合能和有效质量的影响,极化子的结合能和有效质量的相对变化(mass shift)都随着 Al 摩尔分数的增大而单调增大；Alx Ga1-x As衬底中 Al摩尔分数对不同厚度的 GaAs薄膜中极化子的影响程度不同,GaAs薄膜的厚度越小,衬底中 Al摩尔分数对 GaAs薄膜中极化子的影响越显著。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田强	北京师范大学物理学系	81	389	11.0	16.0
2	严亮星	北京师范大学物理学系	3	1	1.0	1.0