半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响

• 作者: 丛忠超 余学峰 周航 孙静 崔江维 郑齐文 郭旗
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量辐射效应 MOS晶体管 三极管 不同温度辐照
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 465-469
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143504.0465

摘要

对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响.实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异.总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53,2.8,2.82V.