不同体积分数螯合剂对Cu-BTA去除的影响

• 作者: 刘玉岭 孙铭斌 洪姣 王胜利 王辰伟 苗英新
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 螯合剂 清洗剂 Cu-BTA聚合物 接触角 静态腐蚀速率 粗糙度
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 465-469,474
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.07.010

摘要

化学机械抛光(CMP)过程中苯并三氮唑(BTA)与金属铜反应生成表面难溶、难以去除的Cu-BTA钝化膜,是抛光后清洗过程中主要去除的对象.采用自主研发的FA/OⅡ型碱性螯合剂作为清洗液的主要成分,并对清洗过程中有效去除Cu-BTA的螯合剂体积分数进行了研究.通过Cu-BTA膜厚生长实验,确定Cu-BTA的生长方式.根据BTA在不同FA/O型螯合剂中溶解度对比实验,确定FA/OⅡ型螯合剂为清洗液的主要成分.通过大量实验得到,FA/OⅡ型螯合剂体积分数为0.007 5％～0.015％时,能有效去除Cu-BTA钝化膜及表面其他残留物,接触角下降到29°,表面粗糙度得到改善约为3.91 nm.此外,静态腐蚀速率实验进一步验证接触角的测试结果,确定有效去除Cu-BTA的螯合剂体积分数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王胜利	河北工业大学微电子研究所	26	107	6.0	8.0
3	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
4	苗英新	河北工业大学微电子研究所	2	11	2.0	2.0
5	孙铭斌	河北工业大学微电子研究所	5	19	3.0	4.0
6	洪姣	河北工业大学微电子研究所	4	14	2.0	3.0