ZnO∶Si透明导电薄膜厚度对其光电性能的影响

• 作者: 王洪森 赵玉辉
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电薄膜 ZnO∶Si 光电特性 薄膜厚度
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与探索
• 页码范围: 21-24,34
• 分类号: TG174.444|O484.4
• 语种: 中文

摘要

目的 研究ZnO∶Si薄膜厚度对其生长速率、结晶度、光透率和电阻率的影响.方法 用直流磁控溅射系统在玻璃基片上沉积不同的时间,获得5个厚度不同的ZnO∶Si薄膜样品,对比研究了其薄膜生长取向和结构特性、微观形貌、电学参数及透过率曲线.结果 5个ZnO∶Si薄膜样品都为多晶膜,具有单一的(002)衍射峰,沿垂直于基片的c轴方向择优生长.当薄膜厚度从207.6 nm增加到436.1 nm时,薄膜的晶粒尺寸增大,晶化程度提高,电阻率变小;膜厚增至497.8 nm时,薄膜的晶化程度反而降低,电阻率增加.在可见光范围内,5个薄膜样品的平均透过率都高于91.7％.结论 膜厚对ZnO∶Si薄膜的电学性能有较大影响,对光学性能的影响则较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪森	山东理工大学电炉熔炼研究所	12	22	2.0	4.0
2	赵玉辉	山东理工大学电炉熔炼研究所	2	27	2.0	2.0