霍尔芯片关键技术及发展趋势分析

• 作者: 徐文毫 王国兴 郭训华 陈金玲
• 来源期刊: 电路与系统
• 学科: 工学
• 关键词: 霍尔效应 温度漂移 失调电压 发展趋势
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 65-72
• 页数: 8页
• 分类号: TP2

摘要

本文首先概述了霍尔芯片的分类、应用和市场前景。然后,分析了霍尔芯片的设计难点,并从霍尔盘和信号处理电路两个方面阐述了解决霍尔芯片温度漂移和失调电压的方案,同时也对不同解决方案的进行了对比。基于霍尔芯片的设计难点和应用,总结出霍尔芯片呈现高集成度、低温度性漂移、高灵敏度、低失调电压、新型的霍尔元件结构、微型化等发展趋势。