金属氧化物掺杂调控空穴迁移特性构建高效率低电压OLED

• 作者: 刘心宇 张小文
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: OLED 空穴迁移率 掺杂 载流子平衡
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 研究?分析
• 页码范围: 19-21,26
• 页数: 4页
• 分类号: TN383
• 语种: 中文

摘要

采用金属氧化物掺杂的双空穴传输层[NPB：5%MoOx]/[NPB：3%TiO2]构建了高效率低电压有机电致发光器件（OLED）。以Alq3为发光层，器件的最大发光效率和功率效率分别达到了5.1 cd/A和2.7 lm/W，比非掺杂型NPB空穴传输层构建的OLED分别提高了46%和93%，而驱动电压则降低了约1.5 V。这是由于掺杂型双空穴传输层能有效调控空穴迁移特性，改善电荷平衡因子，从而促进了发光效率和功率效率的提高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘心宇	桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室	224	1450	18.0	23.0
5	张小文	桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室	17	29	3.0	4.0