电源占空比对TC4合金微弧氧化生物膜层性能影响

• 作者: 王凤彪 葛研军 蒋成勇
• 来源期刊: 热处理技术与装备
• 关键词: 微孤氧化 占空比 膜层厚度 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.444
• 语种: 中文

摘要

为了利用微弧氧化工艺在钛合金表面制备钙磷生物膜层,并确定该工艺电源占空比对膜层性能影响.研究了在恒电流和恒电压下,电源占空比对于膜层厚度、表面粗糙度和钙磷摩尔含量的影响规律.并利用SEM分析了不同占空比对于膜层表面形貌的影响.结果表明,恒压下随占空比增加,膜层厚度和表面粗糙度同时增加,膜层中钙磷含量增加;而恒流模式下,膜层厚度和表面粗糙度增长缓慢且呈先增加后减小趋势,膜层表面形貌、粗糙程度变化不大.故希望获得厚膜层应选择恒压模式,而恒流模式适于表面光滑膜层制备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛研军	大连交通大学机械工程学院	48	233	10.0	13.0
2	蒋成勇	大连交通大学机械工程学院	9	31	3.0	5.0
3	王凤彪		10	17	3.0	3.0