SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷性能的影响研究

• 作者: 刘建金 崔照雯 常宇宏 曹文斌 王聪聪 贾成厂 高鹏
• 来源期刊: 粉末冶金技术
• 关键词: AlN-SiC复合陶瓷,氮化铝 纳米碳化硅 SPS 介电损耗
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 248-253
• 页数: 6页
• 字数: 3909字
• 语种: 中文

摘要

以氮化铝和纳米碳化硅为原料,无烧结助剂,1 600 ℃下保温5 min,放电等离子烧结(以下简称SPS),制备了AlN-SiC复合陶瓷.利用扫描电镜,能谱分析仪,XRD,安捷伦4284A LRC阻抗分析仪等对其致密度,显微结构,表面成分,生成的主要物相,介电损耗和介电性能进行分析.结果表明,AlN-SiC复合陶瓷的致密度在91％以上,物相主要有作为原料的AlN和β-SiC,以及烧结之后生成的2H-SiC和Fe5 Si3;随着SiC含量的增加,材料的介电损耗,介电常数相应增加;SiC含量在30％～40％(质量分数,下同)之间,1 MHz以下的损耗角正切tanδ≥0.3,表明纳米SiC具有较强的吸波性能.相同含量的碳化硅,材料的介电常数和介电损耗随着频率的增加而降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹文斌	北京科技大学材料科学与工程学院	44	422	12.0	19.0
2	高鹏	北京科技大学材料科学与工程学院	14	60	5.0	7.0
3	贾成厂	北京科技大学材料科学与工程学院	227	1841	21.0	26.0
4	王聪聪	北京科技大学材料科学与工程学院	8	35	4.0	5.0
5	常宇宏	北京科技大学材料科学与工程学院	5	21	3.0	4.0
6	崔照雯	北京科技大学材料科学与工程学院	7	41	4.0	6.0
7	刘建金	北京科技大学材料科学与工程学院	5	27	4.0	5.0