氧掺杂对磁控溅射ZAO薄膜性能的影响

• 作者: 余新平 刘沅东 张宁 张至树 汤清琼
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 ZAO薄膜 氧含量
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 41-42
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1423字
• 语种: 中文

摘要

通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备 ZAO薄膜，研究了不同氧掺杂量对于ZAO膜电学及光学性能的影响，使用 X射线衍射仪衍射分析了薄膜相结构，使用四探针方阻仪测试薄膜的方阻，采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明：在通入较低氧分量时对 ZAO薄膜结晶性能及光电性能没有太大的影响，但随着氧分量的增加 ZAO薄膜性能急剧下降。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘沅东		3	6	1.0	2.0
2	张宁		5	7	1.0	2.0
3	余新平		4	6	1.0	2.0
4	张至树		1	0	0.0	0.0
5	汤清琼		2	0	0.0	0.0