非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究

• 作者: 刘石勇 李旺 杨德仁 牛新伟 王仕鹏 陆川 黄海燕
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶硅锗 光学带隙 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 765-770
• 页数: 6页
• 分类号: TK511
• 字数: 1932字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(a-SiGe)薄膜和太阳能电池.系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9％,同时填充因子(FF)也达到0.62.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	王仕鹏		24	37	4.0	5.0
3	黄海燕		23	39	4.0	5.0
4	陆川		27	46	4.0	5.0
5	刘石勇		9	20	2.0	4.0
7	李旺		3	18	2.0	3.0
11	牛新伟		6	19	2.0	4.0