GaAs(001)-(2×4)重构下的表面形貌

• 作者: 丁召 周勋 王继红 罗子江 郭祥
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs薄膜 (2×4)表面重构 表面形貌 As二聚体
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 其它
• 页码范围: 426-431
• 分类号: TN3|O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2014.04.22

摘要

采用反射高能电子衍射仪与扫描隧道显微镜技术对GaAs(001)-(2×4)表面重构下的表面形貌进行深入研究,获得GaAs(001)薄膜处于不同(2×4)表面重构时的表面形貌.研究发现当GaAs(001)表面处于β2(2×4)时,经过精确控制薄膜的生长、退火以及淬火工艺,GaAs(001)表面能够获得由单一重构组成且原子级平坦的表面形貌;研究结果证实β2(2×4)的表面重构原胞中存在三对As Dimers,其中两对位于重构原胞顶层,一对处于重构原胞次层,这与球棍模型理论下获得的β2(2×4)重构原胞高度吻合;研究发现γ(2×4)表面重构实际上是β2(2 ×4)重构与C(4×4)重构混合后的重构形式,γ(2×4)重构表面是由大量单层岛和单层坑混合后的无序平坦表面;α(2×4)存在的温度区间很窄,它是GaAs表面从富As状态到富Ga状态转变的过渡重构形式,实验中将很难获得单一α(2×4)重构相表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州财经大学教育管理学院	46	63	4.0	6.0
2	王继红	贵州大学理学院	24	46	3.0	5.0
3	郭祥	贵州大学理学院	25	32	3.0	4.0
4	周勋	贵州师范大学物理与电子科学学院	65	213	6.0	12.0
5	丁召	贵州财经大学教育管理学院	1	2	1.0	1.0