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集成电路铜制程常见缺陷的分析
集成电路铜制程常见缺陷的分析
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摘要：
概述了集成电路晶圆加工过程缺陷的基本常识,介绍了铜制程主要工艺流程及电镀过程步骤,对电镀过程相关的缺陷如漩涡缺陷、弹坑缺陷和鼠咬缺陷及其成因进行了分析,并对沟槽通孔内部空洞的形成原因进行了探讨.通过对缺陷的分析,结合实际生产经验,提出了相应的解决方法.
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文献信息
| 篇名 | 集成电路铜制程常见缺陷的分析 | ||
| 来源期刊 | 复旦学报（自然科学版） | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 缺陷 铜互联 种子层 电化学镀 空洞 | ||
| 年，卷（期） | 2014,（2） | 所属期刊栏目 | 电化学 |
| 研究方向 | 页码范围 | 205-209 | |
| 页数 | 分类号 | TQ150.1 | |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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研究主题发展历程
节点文献
缺陷
铜互联
种子层
电化学镀
空洞
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
复旦学报(自然科学版)
主办单位：
复旦大学
出版周期：
双月刊
ISSN：
0427-7104
CN：
31-1330/N
开本：
16开
出版地：
上海市邯郸路220号
邮发代号：
4-193
创刊时间：
1955
语种：
chi
出版文献量（篇）
2978
总下载数（次）
5
总被引数（次）
22578
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