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摘要:
目的 根据当前活塞环陶瓷膜工艺中存在的问题,对渗陶电源进行改进,使处理的活塞环达到工业应用要求的同时提高处理效率.方法 分析用PECVD方法制备陶瓷膜工艺中影响成膜的主要因素,以这些因素为依据,通过改变渗陶电源放电的各种参数,比较在不同参数下处理的效果.结果 在最佳组合的放电参数下,这种改进后电源在活塞环表面的成膜效果与传统电源相当,同时,处理的效率得到了提高.结论 非对称脉冲式电源可以代替传统高功耗的射频电源使活塞环表面陶瓷化.
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内容分析
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文献信息
篇名 活塞环表面渗陶工艺的问题及改进措施
来源期刊 表面技术 学科 工学
关键词 等离子体 PECVD 陶瓷膜 A2K电源
年,卷(期) 2014,(1) 所属期刊栏目 应用技术
研究方向 页码范围 114-118
页数 分类号 TQ153.7
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙奉娄 中南民族大学等离子体研究所 76 434 13.0 15.0
2 左雄 中南民族大学等离子体研究所 2 1 1.0 1.0
3 樊英 中南民族大学等离子体研究所 2 1 1.0 1.0
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陶瓷膜
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表面技术
月刊
1001-3660
50-1083/TG
16开
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
78-31
1972
chi
出版文献量(篇)
5547
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30
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34163
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