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活塞环表面渗陶工艺的问题及改进措施
活塞环表面渗陶工艺的问题及改进措施
作者:
孙奉娄
左雄
樊英
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
等离子体
PECVD
陶瓷膜
A2K电源
摘要:
目的 根据当前活塞环陶瓷膜工艺中存在的问题,对渗陶电源进行改进,使处理的活塞环达到工业应用要求的同时提高处理效率.方法 分析用PECVD方法制备陶瓷膜工艺中影响成膜的主要因素,以这些因素为依据,通过改变渗陶电源放电的各种参数,比较在不同参数下处理的效果.结果 在最佳组合的放电参数下,这种改进后电源在活塞环表面的成膜效果与传统电源相当,同时,处理的效率得到了提高.结论 非对称脉冲式电源可以代替传统高功耗的射频电源使活塞环表面陶瓷化.
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篇名
活塞环表面渗陶工艺的问题及改进措施
来源期刊
表面技术
学科
工学
关键词
等离子体
PECVD
陶瓷膜
A2K电源
年,卷(期)
2014,(1)
所属期刊栏目
应用技术
研究方向
页码范围
114-118
页数
分类号
TQ153.7
字数
语种
中文
DOI
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1
孙奉娄
中南民族大学等离子体研究所
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左雄
中南民族大学等离子体研究所
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中南民族大学等离子体研究所
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等离子体
PECVD
陶瓷膜
A2K电源
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
表面技术
主办单位:
中国兵器工业第五九研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-3660
CN:
50-1083/TG
开本:
16开
出版地:
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
邮发代号:
78-31
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
34163
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