半导体工艺向14/16nmFINFET大步前进

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体工艺 nmFINFET 代工厂 芯片性能 工艺选择 集成电路行业 待机时间 副总裁 赛灵思 半
• 年，卷（期）: bdtxx_2014,（1）
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TN305

摘要

【正】几乎所有继续依靠先进半导体工艺来带给自己芯片性能与功耗竞争优势的厂商,纷纷将自己的设计瞄准了即将全面量产的FINFET技术。除去已经量产两年的Intel之外,代工业的台积电(TSMC)是最可能第一个提供FINFET服务的代工厂,他们瞄准的工艺是16nm,而他们计划推出的时间