中国南车投资逾．20亿元开发半导体IGBT项目

• 来源期刊: 变频技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT技术 功率半导体器件 研究开发 中国 高功率密度 投资 电压等级 鉴定会
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 43-45
• 页数: 3页
• 分类号: TN303

摘要

从中国南车获悉，公司下属的株洲所举办的”高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发“项目鉴定会上，研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，该项目代表我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平。