PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷

• 作者: 周捷 张涛 时彬彬 曾李骄开 杨升 梁小燕 滕家琪 闵嘉华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PICTS CdZnTe 深能级 缺陷
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 829-833
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 字数: 2429字
• 语种: 中文

摘要

详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间.利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是VCd2-和A中心(InCd+-VCd2-)-.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张涛	上海大学电子信息材料系	31	205	7.0	14.0
2	闵嘉华	上海大学电子信息材料系	54	281	10.0	15.0
3	梁小燕	上海大学电子信息材料系	19	38	3.0	5.0
4	周捷	上海大学电子信息材料系	3	5	1.0	2.0
5	滕家琪	上海大学电子信息材料系	4	1	1.0	1.0
6	时彬彬	上海大学电子信息材料系	5	3	1.0	1.0
7	杨升	上海大学电子信息材料系	4	2	1.0	1.0
8	曾李骄开	上海大学电子信息材料系	1	0	0.0	0.0