一种测试功率MOSFET热阻的新方法

• 作者: 万维俊 刘斯扬 卫能 孙伟锋
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 功率场效应晶体管 结温 热阻
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 测试与封装
• 页码范围: 131-134
• 分类号: TN407
• 语种: 中文

摘要

阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法.该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异的,这一差异是由结温的不同造成的.而脉冲栅源电压下环境温度的调整可以用来模拟直流条件下的结温,由此可以测得器件在直流条件下的热阻.该方法具有精度高、实现容易和操作方便等优点,可作为功率MOS器件结温和热阻的有效测试方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	刘斯扬	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	54	4.0	5.0
3	万维俊	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	6	2.0	2.0
4	卫能	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	4	1.0	1.0