一种精确测量MOSFET晶圆导通电阻的方法

• 作者: 武乾文 顾汉玉
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: MOS管 导通电阻 开尔文连接 自动测试设备 待测器件 晶圆测试 管芯
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN307
• 字数: 2155字
• 语种: 中文

摘要

导通电阻的准确测量是低导通电阻MOSFET晶圆测试中的一个难点。要实现毫欧级导通电阻的测试，必须用开尔文测试法；但实际的MOSFET晶圆表面只有两个电极（G、S），另外一个电极（D）在圆片的背面，通常只能将开尔文的短接点接在承载圆片的吸盘边缘，无法做到真正的开尔文连接，由于吸盘接触电阻无法补偿而且变化没有规律，导致导通电阻无法精确测量。介绍了一种借用临近管芯实现真正开尔文测试的方法，可以实现MOSFET晶圆毫欧级导通电阻准确稳定的测量。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾汉玉		7	8	2.0	2.0
2	武乾文		10	27	3.0	4.0