通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性

• 作者: 刘雷 单崇新 姚斌 姜明明 张振中 李炳辉 王双鹏 赵东旭 赵鹏程
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 p型掺杂 间歇性补氧
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 399-403
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2734字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143504.0399

摘要

使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品.在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导.为了抑制施主缺陷带来的补偿效应,在生长过程中,通过周期性补充氧气,形成周期性的富氧气氛,缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾.光致发光测量表明,通过交替生长气氛,氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制.通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结品质量也有所提高.样品显示出重复性较高的p型电导,载流子浓度可达到1016cm-3.周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法.