基于Saber的一种简化LDMOS静态物理模型

• 作者: 靳辉凯 鲍嘉明
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 横向双扩散MOS 物理模型 解析方法
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 模型与算法
• 页码范围: 127-130
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

通过深入研究高压LDMOS器件内部的物理特性,给出了一个简化LDMOS物理模型.在漂移区,采用解析方法求解漂移区电场微分方程,经过合理假设,利用一种改进算法得到漂移区的电压降,在保证模型一定精度的前提下,简化了模型计算过程.特别是,根据Saber软件建模要求,将其改造成为适用于Saber的一个LDMOS模型,该模型能够嵌入到Saber进行电路仿真.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍嘉明	北方工业大学信息工程学院微电子系	17	52	4.0	6.0
2	靳辉凯	北方工业大学信息工程学院微电子系	1	0	0.0	0.0