Ce掺杂SnO2材料结构和光学性质的研究

• 作者: 单麟婷 巴德纯 李建昌 林义涵
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2 Ce 第一性原理 光学性质
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3242字
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，用广义梯度近似（GGA）PBE 交换相关泛函，研究稀土Ce掺杂的SnO2材料能带结构和光学性质，对纯SnO2和掺杂后的能带结构、态密度以及光学性质进行了分析对比。结果表明，掺杂后材料均属直接跃迁半导体， Ce的4f轨道进入导带使导带底向低能端移动，禁带宽度变小，吸收光谱与介电函数虚部谱线相对应，吸收谱发生红移，峰强减弱，各峰值与电子跃迁吸收有关。因此，本文可对接下来的实验研究有一定借鉴作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巴德纯	东北大学机械工程与自动化学院真空与流体工程研究中心	250	1491	18.0	22.0
2	李建昌	东北大学机械工程与自动化学院真空与流体工程研究中心	42	214	9.0	13.0
3	单麟婷	东北大学机械工程与自动化学院真空与流体工程研究中心	5	23	3.0	4.0
4	林义涵	东北大学机械工程与自动化学院真空与流体工程研究中心	2	13	2.0	2.0