半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 极化电荷 第一性原理计算 砷化镓 器件应用 常凯 电子结构 反常霍尔效应 磁电耦合 能隙
• 年，卷（期）: bdtxx_2014,（1）
• 页码范围: 22-23
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.2

摘要

【正】中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。