CMOS图像传感器中分段电容DAC非理想因素研究

• 作者: 姚素英 孙权 徐文静 徐江涛 聂凯明
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子学与固体电子学 分段电容DAC 电容失配 寄生 转换精度
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 32-39
• 页数: 8页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2014.01.007

摘要

CMOS图像传感器信号处理中通常采用分段电容DAC产生斜坡参考电压。研究了分段电容DAC精确的电容失配及寄生与其转换精度的关系式。基于对分段电容DAC工作原理的研究，导出了电容失配及寄生模型；针对其分数桥接电容失配、各二进制电容间的失配及寄生电容问题进行了理论分析；对分段电容DAC进行非理想因素仿真，设计了一个采用分段电容DAC的10位单斜ADC并对其进行测试，仿真和测试结果均验证了理论分析的正确性。上述理论分析结果可作为分段电容DAC的设计指导。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚素英	天津大学电子信息工程学院	160	911	14.0	21.0
2	徐江涛	天津大学电子信息工程学院	78	323	11.0	14.0
3	孙权	天津大学电子信息工程学院	7	20	3.0	4.0
4	聂凯明	天津大学电子信息工程学院	11	30	3.0	5.0
5	徐文静	天津大学电子信息工程学院	2	11	2.0	2.0