AlN／蓝宝石模板上与GaN近晶格匹配InAlN薄膜的研究

• 作者: 刘宁炀 张娜 张康 张志清 江川孝志 王君君 范广涵 赵维 陈志涛
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: InAlN薄膜 GaN 近晶格匹配
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 165-168
• 页数: 4页
• 分类号: TG113
• 语种: 中文

摘要

采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板生长了与GaN近晶格匹配的高质量 InAlN薄膜，并对其结构及表面特性进行了研究。结果表明：X射线衍射（20-24）面的倒易空间图表明，InAlN薄膜的晶格常数与GaN面的相匹配；（002）和（102）面的ω摇摆曲线测试表明，InAlN薄膜的晶体质量高，半峰宽值分别低达100″和248″；通过扫描电子显微镜（SEM ）分析发现，InAlN薄膜表面平整，仅存在少量位错坑；X射线能谱面扫描图（EDX映射）结果显示，除位错坑附近外，在薄膜其它区域内 Al和In元素分布均匀。