高功率密度IGBT模块的研发与特性分析

• 作者: Ian Deviny Rupert Stevens 刘国友 吴义伯 罗海辉 覃荣震 黄建伟
• 来源期刊: 机车电传动
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极晶体管 芯片 模块 高功率密度 功耗 散热 特性分析 轨道交通
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专题
• 页码范围: 6-11
• 页数: 6页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

基于现有标准DMOS设计技术,通过优化高压IGBT&FRD芯片及其模块结构,降低芯片功耗、模块寄生电感和模块热阻,改善模块散热,提高最高工作温度.研究开发了高功率密度1500A/3300V、1200 A/4500V及750 A/6500 VIGBT模块,满足轨道交通的应用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国友		8	0	0.0	0.0
2	黄建伟		6	0	0.0	0.0
3	覃荣震		3	0	0.0	0.0
4	罗海辉		4	0	0.0	0.0
5	Ian Deviny		3	0	0.0	0.0
6	Rupert Stevens		1	0	0.0	0.0
7	吴义伯		5	0	0.0	0.0