界面缺陷密度对铜纳米线力学性能影响的模拟研究

• 作者: 孙远 宋海洋
• 来源期刊: 应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学模拟 界面缺陷 屈服强度
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 页码范围: 195-202
• 页数: 8页
• 分类号: TN3

摘要

本文通过分子动力学模拟方法,研究了孪晶和堆垛层错的界面缺陷对铜纳米线力学性能的影响。研究结果表明:当孪晶界面存在缺陷时,界面缺陷会显著降低铜纳米线的屈服强度。界面缺陷密度的改变对铜纳米线的屈服强度影响很小,但却可以影响位错成核的位置:界面缺陷较少时,位错成核于缺陷界面相邻的完整孪晶面,界面缺陷数量增加后,若缺陷与自由表面之间形成内禀层错,则位错首先成核于内禀层错与自由表面交界处;然而,当堆垛层错界面存在界面缺陷时,铜纳米线的屈服强度由于应力过早集中而明显降低,位错成核于含有缺陷的堆垛层错界面与自由表面的交界处。界面缺陷密度较大时,缺陷界面会形成外禀层错。包含有堆垛层错的铜纳米线的屈服强度随着界面缺陷密度的增大而减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙远	西安邮电大学理学院	1	0	0.0	0.0
2	宋海洋	西安邮电大学理学院	11	36	3.0	6.0