GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线的生长研究

• 作者: 孙素静 李小青 赵翠俭
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/AlGaAs纳米线 核-壳结构 生长机制 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光电探测器
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 289-293
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.04.010

摘要

GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线是制作金属-半导体-金属(MSM)型高速光电探测器最简洁有效的光电材料之一.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在GaAs (111)B衬底上开展了GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线的生长研究,用场发射扫描电子显微镜(SEM)和微区光荧光谱仪(PL)对制备的GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线样品进行了测试分析.采用已优化的GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线的生长工艺参数,主要研究了AlGaAs壳材料的生长机制,获得了高质量的AlGaAs壳材料,AlGaAs壳材料生长速率约为50 nm/min,Al的原子数分数为14％.这些结果为将来多异质结构纳米线的生长和光电探测器的制备奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙素静	石家庄铁道大学信息科学与技术学院	10	13	2.0	2.0
2	赵翠俭	石家庄学院物理与电气信息工程学院	10	14	2.0	2.0