基于第一性原理方法研究基团在CVD金刚石薄膜(001)表面上的生长

• 作者: 任元 刘学杰 张素慧 银永杰 陆峰 魏怀
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 第一性原理 CVD金刚石薄膜 基团 生长机理 吸附演变
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 46-52
• 页数: 7页
• 分类号: TQ127.1+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2014.04.008

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究CVD金刚石薄膜(001)表面的生长机理.计算清洁金刚石表面和氢(H)终止金刚石表面的构型.考察H原子和活性基团(C,CH,CH2和CH3)在清洁重构金刚石表面及在单层H终止金刚石表面上的吸附演变.结果表明:清洁金刚石表面发生了对称二聚体重构,H原子终止金刚石表面稳定了金刚石结构;基团在金刚石(001)表面吸附演变过程中,H原子起到激活石墨和萃取表面H原子产生活性位的作用;CH2基团比CH3基团能够更好地提高CVD金刚石薄膜的生长率,是薄膜生长过程中最有效基团;CH基团阻碍了薄膜的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘学杰	内蒙古科技大学机械工程学院	57	114	6.0	7.0
3	任元	内蒙古科技大学机械工程学院	31	62	4.0	6.0
6	魏怀	内蒙古科技大学机械工程学院	5	13	3.0	3.0
7	陆峰	内蒙古科技大学机械工程学院	2	7	1.0	2.0
8	银永杰	内蒙古科技大学机械工程学院	2	7	1.0	2.0
9	张素慧	内蒙古科技大学机械工程学院	3	10	2.0	3.0