非制冷型中长波铟砷锑探测器

• 作者: 冯彦斌 吴广会 洪伟 高玉竹 龚秀英
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 非制冷红外光子探测器 InAsSb 峰值探测率 光谱响应
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2449字
• 语种: 中文

摘要

工作在中、长波红外波段（波长5~12μm）的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延（ME）法在InAs（砷化铟）衬底上生长的InAs0.05Sb0.95（铟砷锑）厚膜单晶，制作了高灵敏度、非制冷型、中长波光导型探测器，探测器上安装了Ge（锗）浸没透镜。傅里叶变换红外（FTIR）吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2~9μm。室温下，在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp*达到5.4×109 cm·Hz1/2·W-1，在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D*分别为9.3×108和1.3×108 cm·Hz1/2·W-1，显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉竹	同济大学电子与信息工程学院	12	50	3.0	7.0
2	龚秀英	同济大学电子与信息工程学院	9	12	2.0	3.0
3	洪伟	同济大学电子与信息工程学院	1	1	1.0	1.0
4	吴广会		1	1	1.0	1.0
5	冯彦斌		1	1	1.0	1.0