聚碳硅烷制备C/C-SiC高温复合材料的应用

• 作者: 宋麦丽 崔红 张强 田蔚 闫联生
• 来源期刊: 固体火箭技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: 聚碳硅烷(PCS) C/C-SiC复合材料 PIP-SiC基体 高温复合材料
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 结构、材料与工艺
• 页码范围: 128-133
• 页数: 6页
• 分类号: V258
• 字数: 5004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7673/j.issn.1006-2793.2014.01.125

摘要

SiC陶瓷复合材料具有抗氧化、耐高温等综合性能,已在宇航领域得到广泛应用,聚合物先驱体——聚碳硅烷经高温裂解,可制备SiC陶瓷复合材料.主要进行了聚碳硅烷的结构与性能分析,以及其用于制备PIP-SiC基陶瓷复合材料的研究.结果表明,C/C-SiC炭陶双基材料结合了C/C复合材料使用温度高、C/SiC复合材料抗氧化性能优良的特点,随着基体中PIP-SiC含量的增加,提高了C/C-SiC复合材料的综合力学性能和抗氧化烧蚀性能.采用“CVI+PIP”工艺研制的3D C/C-SiC复合材料弯曲强度高达468.4MPa,拉伸强度高达348.6 MPa,600s条件下的氧乙炔烧蚀的线烧蚀率为0.001 7mm/s、质量烧蚀率为0.000 6 g/s,使C/C-SiC复合材料达到了长寿命的使用目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔红		106	692	14.0	19.0
3	宋麦丽		11	101	6.0	10.0
4	田蔚		9	24	3.0	4.0
6	闫联生		43	274	10.0	15.0
8	张强		27	147	8.0	11.0