化学水浴法制备CdS薄膜退火工艺的研究

• 作者: 李建康 詹红
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 化学
• 关键词: 化学水浴沉积法 太阳能电池 硫化镉薄膜 退火 结晶
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 120-123
• 页数: 4页
• 分类号: TM23|O69
• 字数: 2409字
• 语种: 中文

摘要

基于化学水浴沉积法以硫脲为硫源,醋酸镉为镉源,氨水作为缓冲剂,制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),研究不同的退火温度和是否涂敷CdCl2溶液对CdS薄膜的影响.采用X线衍射仪、电子扫描电镜和紫外/可见光分光光度计研究了不同退火工艺对硫化镉薄膜的结构、形貌及光学特性的影响.实验表明,悬涂CdCl2溶液退火处理可明显改善CdS薄膜的结晶及其光学性质,最佳退火温度为400℃,退火时间为60 min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建康	苏州科技学院数理学院	21	63	6.0	7.0
2	詹红	苏州科技学院数理学院	1	0	0.0	0.0