10 Gbit/s 850 nm pin光电二极管

• 作者: 吴志维 汤宝 王任凡
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 850 nm波段 数据通信 pin光电二极管 AlGaAs/GaAs 半导体工艺
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 285-288
• 分类号: TN312.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.04.009

摘要

GaAs pin光电二极管在数据通信领域发挥着重要的作用,在综合考虑了高速光电探测器的频率特性和响应度的基础上,给出了AlGaAs/GaAs pin光电二极管结构参数的最优化设计,使其在频率响应特性上满足10 Gbit/s的要求.着重研究了在半导体制作工艺中所涉及的光刻、腐蚀、表面钝化以及欧姆接触等问题,研制出暗电流小、响应速率高、响应度高而且可靠性良好的短波长高速pin光电二极管.在产品应用之前的可靠性测试中,老化时间大于2 000 h的情况下仍能保持良好的暗电流特性,满足工业化生产的条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志维		1	4	1.0	1.0
2	汤宝		1	4	1.0	1.0
3	王任凡		1	4	1.0	1.0