单芯片大功率RF LDMOS晶体管设计与实验

• 作者: 刘武平 周星 邓小川 韩鹏宇
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: RF LDMOS 槽型sinker 击穿电压 功率增益 漏极效率
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1496字
• 语种: 中文

摘要

传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构，该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构，可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验，得到饱和电流为170 mA/mm、击穿电压120 V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5 GHz和10 GHz的RF LDMOS器件。在50 V工作电压、1090 MHz频点下栅宽345 mm单芯片器件的最大输出功率362 W，功率增益15.6 dB，漏极效率38.1%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓小川	电子科技大学微电子与固体电子学院	11	258	5.0	11.0
2	刘武平	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	4	1.0	1.0
3	周星	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	4	1.0	1.0
4	韩鹏宇	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	4	1.0	1.0