基于聚(4-乙烯基苯酚)衬底修饰层喷墨打印的小分子有机半导体薄膜制备和表征

• 作者: 元淼 吕国强 林广庆 熊贤风 王向华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机半导体 有机薄膜晶体管 喷墨打印 表面修饰 绝缘聚合物
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 105-112
• 页数: 8页
• 分类号: O484.4|TN383+.1
• 字数: 3313字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143501.0105

摘要

采用旋涂法预先在SiO2衬底表面形成一层聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)作为表面修饰层,以喷墨打印的6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)作为有源层制作有机薄膜晶体管,有效改善了有机半导体薄膜的形貌.采用真空热蒸镀工艺制备源漏电极,形成底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管(OTFT)器件.作为对比,在未经过表面修饰的SiO2衬底上采用相同条件打印TIPS并五苯薄膜晶体管,发现在经过PVP修饰的SiO2衬底上打印的单点厚度更均匀,咖啡环效应被抑制或被消除;而通过多点交叠打印形成的矩形薄膜的晶粒尺寸更大,相应的OTFT器件具有更高的场效应迁移率.在有PVP修饰层的衬底上制作的OTFT,器件在饱和区的平均场效应迁移率达到了0.065 cm2·V-1·s-1;而直接在SiO2衬底上制作的器件,相应的平均场效应迁移率仅为0.02 cm2·V-1·s-1.