基于CMOS工艺的单光子雪崩二极管的盖革模式仿真

• 作者: 孟丽娅 王庆祥 王成 闫旭亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: ATLAS软件 盖革模式 单光子雪崩二极管(SPAD) 电场强度 雪崩产生率
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 279-284
• 分类号: TN312.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.04.008

摘要

采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺和p阱保护环,使用SILVACO公司的ATLAS软件进行器件结构设计和仿真,得到了能正常工作在盖革模式下的单光子雪崩二极管(SPAD).仿真结果表明:设计的器件结构中p+/n-阱结降低了结附近的电场强度,并且低于平面pn结的电场强度,从而起到了抑制二极管发生边缘击穿的保护作用;电场强度和碰撞产生率呈正相关,并得出了电子、空穴的雪崩产生率与纵向位置的关系曲线及器件中某一个点处的电子雪崩产生率和偏置电压的关系曲线.仿真结果对基于CMOS工艺的SAPD结构设计具有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟丽娅	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	34	172	6.0	12.0
2	王成	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	21	108	7.0	10.0
3	王庆祥	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	5	13	2.0	3.0
4	闫旭亮	重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室	3	12	2.0	3.0